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【ITBEAR科技资讯】05月31日消息，韩国半导体巨头SK海力士近日宣布取得重要突破，成功研发出目前市面上最微细化的第五代10纳米级(1b)DDR5 DRAM技术，并将其应用于DDR5服务器DRAM产品中。此次SK海力士的技术突破得到了英特尔公司(Intel®)的认可，并开始适用于英特尔数据中心存储器认证程序，这是英特尔对其第四代至强可扩展平台(Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

据ITBEAR科技资讯了解，SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps，是目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。相较于DDR5 DRAM初期试制品，这项突破使数据处理速度提升了33%。

此外，SK海力士在这款1b DDR5 DRAM中采用了“HKMG(High-K metal Gate)”工艺，与之前的1a DDR5 DRAM相比，功耗降低了20%以上。

SK海力士强调表示：“通过1b技术的成功研发，我们将能够向全球客户提供高性能和高效能功耗比兼备的DRAM产品。”

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“我们已经在今年1月将第四代10纳米级(1a)DDR5服务器DRAM适用到英特尔的第四代至强可扩展处理器上，并获得了业界的认证。这次1b DDR5 DRAM产品验证也将会顺利完成。”

金副社长继续表示：“据预测，从今年下半年开始，存储器市场状况将得到改善，我们将以1b工艺的量产等行业最高水平的DRAM竞争力加速改善今年下半年的业绩。同时，我们还计划在明年上半年将最先进的1b工艺应用于LPDDR5T和HBM3E产品。”

此外，SK海力士还表示，他们正在进行额外的认证流程，以将已经通过一轮兼容性验证的1a DDR5 DRAM适用于英特尔下一代至强可扩展平台。

回顾SK海力士在DDR5 DRAM领域的发展，2020年10月，他们推出了全球首款DDR5 DRAM产品;2021年12月，全球首次提供了24Gb DDR5 DRAM样品;而在2023年1月，他们成功获得了第一款1a DDR5服务器DRAM产品在英特尔认证;最近在2023年4月，SK海力士再次向英特尔提供了第一批1b DDR5服务器DRAM样品。

这一系列的技术突破和合作成果，标志着SK海力士在DRAM领域的持续创新和与合作伙伴的深入合作，为公司未来的发展奠定了坚实的基础。